发明名称 一种采用金属硅化物的手性超结构
摘要 本发明涉及光学领域,尤其涉及一种手性超结构。本发明中的一种采用金属硅化物的手性超结构,包括沿着光线入射方向依次设有的上硅化物层、介质层、下硅化物层和衬底层;上硅化物层、介质层和下硅化物层具有相同的平面结构,所述平面结构包括多个周期为p的单元结构,单元结构为四个中心对称的圆环和相交的长方形组成,圆环的内径为r1,圆环的外径为r2,长方形的长为l,长方形的宽m=r2‑r1;上硅化物层4和下硅化物层2厚度为t,介质层3的厚度为d。以NiSi为例,左,右圆偏振光透射谱线在磁共振点附近分开,产生了约0.42的圆二色性以及0.7的椭圆率,并发生相位突变,在共振点产生了从60°到‑55°的偏振旋转。
申请公布号 CN106200012A 申请公布日期 2016.12.07
申请号 CN201610549770.0 申请日期 2016.07.14
申请人 浙江工业大学 发明人 鄢波;钟柯松;隋成华;马洪锋;高凡;徐丹阳;陈乃波
分类号 G02F1/00(2006.01)I 主分类号 G02F1/00(2006.01)I
代理机构 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230 代理人 胡丽英
主权项 一种采用金属硅化物的手性超结构,包括沿着光线入射方向依次设有的上硅化物层、介质层、下硅化物层和衬底层;其特征在于,上硅化物层、介质层和下硅化物层具有相同的平面结构,所述平面结构包括多个周期为p的单元结构,单元结构为四个中心对称的圆环和十字相交的长方形组成,圆环的内径为r1,圆环的外径为r2,长方形的长为l,长方形的宽m=r2‑r1;上硅化物层4和下硅化物层2厚度为t,介质层3的厚度为d。
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