发明名称 一种抑制上电大电流的射频卡
摘要 本发明所述的一种抑制上电大电流的射频卡,包括射频卡本体和电流缓冲电路,所述射频卡本体上的各电路通过电流缓冲电路与手机的电源相连接,所述电流缓冲电路减缓手机的电源为射频卡本体上的各电路供电时电压的上电速率和上电电流峰值。本发明的有益效果是:采用本发明技术方案,有效避免了手机检测电流过大产生无法开机的问题。本发明结构简单,易于实现,在不改变原有电路结构的基础上,消除了因电路功能增加而导致片上电电流过大的隐患。
申请公布号 CN103164727B 申请公布日期 2016.12.14
申请号 CN201110426640.5 申请日期 2011.12.19
申请人 国民技术股份有限公司 发明人 申秀美
分类号 G06K19/07(2006.01)I;H02M1/34(2007.01)I 主分类号 G06K19/07(2006.01)I
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人 杨立
主权项 一种抑制上电大电流的射频卡,包括射频卡本体,其特征在于,还包括电流缓冲电路,所述射频卡本体上的各电路通过电流缓冲电路与手机的电源相连接,所述电流缓冲电路减缓手机的电源为射频卡本体上的各电路供电时电压的上电速率和上电电流峰值;所述电流缓冲电路包括PMOS管和用于调节输出电压上升时间的控制电路;所述控制电路包括第一偏置电阻、第二偏置电阻和一个并联电容,所述第一偏置电阻与电容并联后与第二偏置电阻串联,所述第二偏置电阻的另一端接地,所述并联的电容和第一偏置电阻与第二偏置电阻串联的一端与PMOS管的栅极相连接,所述并联的电容和第一偏置电阻的另一端与PMOS管的源极相连接;改变所述并联的第一偏置电阻和电容其中一个或两个的大小,可调节输出到射频卡本体上的各电路的电压的上电速率。
地址 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园区深圳软件园3栋301、302