一种晶格匹配的五结太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种晶格匹配的五结太阳能电池及其制作方法，以p型Ge单晶片为衬底，在所述衬底上面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、AlGaAs/GaInAs DBR反射层、GaInNAs子电池、GaInAs子电池、AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池；AlGaAs/GaInAs DBR反射层和GaInNAs子电池之间通过第一隧道结连接，GaInNAs子电池和GaInAs子电池之间通过第二隧道结连接，GaInAs子电池和AlGaInAs子电池通过第三隧道结连接，AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池通过第四隧道结连接。本发明可以提高GaInNAs子电池收集效率，增加五结电池的整体短路电流，而且可以减少GaInNAs子电池厚度，节约生产成本，最终发挥五结电池的优势，提高电池整体光电转换效率。

主权项

一种晶格匹配的五结太阳能电池，包括有Ge衬底，其特征在于：所述Ge衬底为p型Ge单晶片；在所述Ge衬底上面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、AlGaAs/GaInAs DBR反射层、GaInNAs子电池、GaInAs子电池、AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池；所述AlGaAs/GaInAs DBR反射层和GaInNAs子电池之间通过第一隧道结连接，所述GaInNAs子电池和GaInAs子电池之间通过第二隧道结连接，所述GaInAs子电池和AlGaInAs子电池通过第三隧道结连接，所述AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池通过第四隧道结连接。