发明名称 |
压电MEMS开关及制造方法 |
摘要 |
一种MEMS压电开关(100),其提供结构紧凑、易于在单个单元中制造、以及没有高温导致的接触材料的形态变化与作为结果而发生的对特性的不利影响的优点。高温导致的形态变化指:当诸如射频线(125,130)和短路条(150)的金属接触暴露到退火压电层所要求的温度或者如果换而使用高温沉积处理而在压电层的高温沉积期间所遇到的温度时,在制造期间发生的变化。 |
申请公布号 |
CN101390226A |
申请公布日期 |
2009.03.18 |
申请号 |
CN200780006767.3 |
申请日期 |
2007.01.31 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
刘连军 |
分类号 |
H01L41/00(2006.01)I;H02N2/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L41/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
康建忠 |
主权项 |
1、一种制造压电MEMS开关的方法,包括:在基板上形成牺牲层;形成第一电极层;形成退火的压电电介质层;形成第二电极层;形成邻近第一电极层和第二电极层的射频信号线,而不在形成所述线后的工艺中使所述线受到高温;形成第一聚合物涂层;移除所述牺牲层;形成第二聚合物涂层;在第二聚合物涂层中形成接触;图案化第二聚合物涂层;形成图案化的电介质层,以将悬臂连接到所述接触,所述悬臂包括第一电极层、第二电极层和压电电介质层;以及移除第二聚合物涂层。 |
地址 |
美国得克萨斯 |