垂直结构的半导体芯片

摘要

本发明揭示不需打金线的垂直半导体芯片，其结构包括：金属化芯片(包括：第一金属片、第二金属片、第一电极、第二电极和导电栓)，层叠在第一金属片上的半导体外延薄膜，覆盖在金属化芯片和半导体外延薄膜上的钝化层，图形化的电极。第一和第二金属片将分别通过导电栓与第一和第二电极电联接。钝化层在半导体外延薄膜的上方和第二金属片的上方具有窗口。图形化的电极通过钝化层在半导体外延薄膜表面上方的窗口，层叠在半导体外延薄膜上，并向第二金属片的方向延伸，通过钝化层在第二金属片上方的窗口，层叠在第二金属片上，使得半导体外延薄膜通过图形化电极与第二金属片电联接。

主权项

1.一种垂直结构的半导体芯片，其特征在于，所述的垂直结构的半导体芯片包括：*一金属化芯片；所述的金属化芯片包括：第一主表面和第二主表面；第一金属片和第二金属片层叠在所述的第一主表面上；所述的第一金属片和第二金属片互相电绝缘；第一电极和第二电极层叠在所述的金属化芯片的第二主表面上；所述的第一电极和第二电极互相电绝缘；所述的第一金属片和第二金属片分别通过至少一个导电栓与所述的第一电极和第二电极电连接；*一半导体外延薄膜；所述的半导体外延薄膜包括：第一类型限制层，活化层和第二类型限制层；所述的活化层层叠在所述的第一类型限制层和所述的第二类型限制层之间；*一导电反射/欧姆/键合层；所述的导电反射/欧姆/键合层把所述的半导体外延薄膜的第二类型限制层键合在所述的金属化芯片的第一金属片上；*一钝化层；所述的钝化层层叠在所述的金属化芯片的第一主表面和所述的半导体外延薄膜的第一类型限制层上；所述的钝化层分别在所述的第一类型限制层的上方和对应的第二金属片的上方的预定的位置上具有窗口；所述的窗口的底部分别是所述的第一类型限制层和所述的第二金属片的表面；所述的钝化层保护所述的图形化的电极使其只与所述的第一类型限制层和所述的金属化芯片的第二金属片电连接。*一图形化的电极；所述的图形化的电极通过所述的钝化层在所述的半导体外延薄膜的第一类型限制层上的窗口，层叠在所述的半导体外延薄膜的第一类型限制层上，并向对应的第二金属片延伸，通过所述的钝化层在对应的第二金属片的窗口，层叠在对应的第二金属片上，使得所述的半导体外延薄膜的第一类型限制层通过所述的图形化电极与对应的第二电极电联接。