| 发明名称 | 存储器内建自测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了存储器内建自测试方法，其特征在于：首先判断ROM中是否有冗余地址，当有冗余地址时用于存储标准校验码，然后将ROM中的系数文件转化成一定的格式，然后通过设计工具产生自测试逻辑和与ROM对应的标准校验码，最后将标准校验码写入冗余地址并生成新的ROM；本发明可以保证标准校验码和系数都能够通过Mask Change的方式进行相应的简单修改，从而能够重复使用存储器内建自测试进行ROM的损坏测试，而不需要通过重新制作整套Mask的方式修改存放在ROM外的标准校验码，节省了成本和时间，降底了成品的更新换代的难度。 | ||
| 申请公布号 | CN101339811A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200810045810.3 | 申请日期 | 2008.08.14 |
| 申请人 | 四川登巅微电子有限公司 | 发明人 | 杨修;唐杜娟 |
| 分类号 | G11C29/12(2006.01);G11C29/24(2006.01) | 主分类号 | G11C29/12(2006.01) |
| 代理机构 | 成都天嘉专利事务所 | 代理人 | 方强 |
| 主权项 | 1、存储器内建自测试方法，其特征在于：首先判断ROM中是否有冗余地址，当有冗余地址时用于存储标准校验码，然后将ROM中的系数文件转化成一定的格式，然后通过设计工具产生自测试逻辑和与ROM对应的标准校验码，最后将标准校验码写入冗余地址并生成新的ROM。 | ||
| 地址 | 610041四川省成都市高新区孵化园7号楼409室 | ||