| 发明名称 | 半导体层的表面处理方法及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体层的表面处理方法及半导体装置的制造方法。此表面处理方法首先提供半导体层，此半导体层的表面具有多个微粒。接着，利用清洁方法移除这些微粒。于此清洗方法中，依序使半导体层接触有机物移除剂、第一过氧化物混合液以及第二过氧化物混合液。 | ||
| 申请公布号 | CN101339900A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200810108776.X | 申请日期 | 2008.05.29 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 唐唯耀;吴家伟 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);C23F1/14(2006.01);C23F1/24(2006.01);C23F1/40(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种半导体层的表面处理方法，包括：提供半导体层，该半导体层的表面具有多个微粒；以及利用清洁方法移除该微粒，包括：使该半导体层接触有机物移除剂；使该半导体层接触第一过氧化物混合液；及使该半导体层接触第二过氧化物混合液。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||