发明名称 磁记录介质及其制造方法以及磁记录再生装置
摘要 本发明提供一种维持垂直磁性层的高的垂直取向性,并能够实现更高记录密度化的磁记录介质。本发明的磁记录介质,至少在非磁性基板之上按顺序层叠有软磁性基底层(30)、种子层(31、32)、取向控制层(33)和垂直磁性层。软磁性基底层(30)具有非晶或微晶结构。种子层(31、32)包含第1种子层(31)和在其上以岛状或网状形成的第2种子层(32),所述第1种子层(31)包含金属氧化物或金属氮化物,所述第2种子层(32)包含金属。取向控制层(33)以及垂直磁性层中,以第2种子层(32)为起点,各自的晶粒构成了在厚度方向连续的柱状晶。
申请公布号 CN103534757B 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201280023252.5 申请日期 2012.05.14
申请人 昭和电工株式会社 发明人 桥本笃志
分类号 G11B5/738(2006.01)I;G11B5/65(2006.01)I;G11B5/851(2006.01)I 主分类号 G11B5/738(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 段承恩;杨光军
主权项 一种磁记录介质,是至少具有在非磁性基板之上按顺序层叠了软磁性基底层、种子层、取向控制层和垂直磁性层的构成的磁记录介质,其特征在于,所述软磁性基底层具有非晶或微晶结构,所述种子层包含第1种子层和在其上以岛状或网状形成的第2种子层,所述第1种子层包含金属氧化物或金属氮化物,所述第2种子层包含金属,所述取向控制层以及所述垂直磁性层中,以所述第2种子层为起点,各自的晶粒构成了在厚度方向连续的柱状晶,所述第1种子层含有ZnO或AlN。
地址 日本东京都