发明名称 |
一种晶体硅系太阳能电池及其表面纳米复合结构制备方法 |
摘要 |
本发明一种晶体硅系太阳能电池及其表面纳米复合结构制备方法,方法简单,一步合成,成本低质量高,显著提高电池的性能。所述的方法是在晶体硅系太阳能电池表面已有结构上利用等离子体增强化学气相沉积方法制备金属纳米颗粒。所述电池的表面为由本发明所述方法制备得到的纳米复合结构。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)通过气体的等离子放电产生活性基团来促进纳米金属颗粒生成的反应,纳米金属颗粒一步合成,并能够均匀的将其布置在晶体硅表面,通过优化锗量子点的沉积时间、沉积温度以及氢稀释比,使沉积工艺组合达到左右。最优沉积工艺下得到锗量子点,经氢等离子体处理,钝化锗量子点表面悬挂键,修饰表面形貌,使其分散均匀。 |
申请公布号 |
CN106206778A |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201610786029.6 |
申请日期 |
2016.08.30 |
申请人 |
陕西师范大学 |
发明人 |
刘生忠;刘斌 |
分类号 |
H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01L31/0236(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
李宏德 |
主权项 |
一种晶体硅系太阳能电池的表面纳米复合结构制备方法,其特征在于,在晶体硅系太阳能电池表面已有结构上利用等离子体增强化学气相沉积方法制备金属纳米颗粒。 |
地址 |
710062 陕西省西安市长安南路199号 |