| 发明名称 | 半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，其包括下述步骤：一种半导体器件的制作方法，其包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有至少一个接触孔开口；形成覆盖所述接触孔开口侧壁和底部的粘附层；在所述粘附层上形成保护层；在所述保护层上沉积金属层。本发明提供的半导体器件制作方法，在接触孔内填充金属(金属钨)之前，先形成一层保护层，这样在后续通过化学气相沉积形成金属钨层时，可避免WF6与接触孔底部的硅反应，进而损坏硅衬底，导致良率下降。 | ||
| 申请公布号 | CN106158730A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201510176872.8 | 申请日期 | 2015.04.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 陈林 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有至少一个接触孔开口；形成覆盖所述接触孔开口侧壁和底部的粘附层；在所述粘附层上形成保护层；在所述保护层上沉积金属层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||