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发明名称
基板上に位置付けられる平坦化された半導体粒子
摘要
単結晶シリコン又は多結晶シリコンの平坦化された粒子のアレイの形態の装置又は装置を製造する方法であって、粒子の平坦な面は、電子装置のアレイを製造するために用いられる。これは、特に、単結晶の高速デバイスが要求される大型ディスプレイの製造に有益である。装置のアレイの平坦な面は、アレイが平坦な面上に製造されるときに、同一平面上にある。【選択図】図5c
申请公布号
JP2014535166(A)
申请公布日期
2014.12.25
申请号
JP20140534897
申请日期
2012.10.12
申请人
ディフテック レーザーズ インコーポレイテッド
发明人
ダイカール ダグラス アール.
分类号
H01L29/06;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/08;H01L27/092;H01L29/786
主分类号
H01L29/06
代理机构
代理人
主权项
地址
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