| 发明名称 | 具有TaAlCN层的金属栅极堆叠件 | ||
| 摘要 | 一种集成电路器件包括：半导体衬底；以及设置在半导体衬底上方的栅极堆叠件。栅极堆叠件还包括设置在半导体衬底上方的栅极介电层；设置在栅极介电层上方的多功能阻挡/润湿层，其中，多功能阻挡/润湿层包括碳氮化铝钽(TaAlCN)；设置在多功能阻挡/润湿层上方的功函层；和设置在功函层上方的导电层。本发明涉及具有TaAlCN层的金属栅极堆叠件。 | ||
| 申请公布号 | CN106158932A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201510193414.5 | 申请日期 | 2015.04.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张简旭珂;王廷君;郑志成;刘继文 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种集成电路器件，包括：半导体衬底；以及栅极堆叠件，设置在所述半导体衬底上方，其中，所述栅极堆叠件包括：栅极介电层，设置在所述半导体衬底上方；多功能阻挡/润湿层，设置在所述栅极介电层上方，其中，所述多功能阻挡/润湿层包括碳氮化铝钽(TaAlCN)；功函层，设置在所述多功能阻挡/润湿层上方；和导电层，设置在所述功函层上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||