| 摘要 |
화학 템플릿을 형성하기 위해 마이크로 전자 기판을 처리하는 방법은 기판(10)을 패터닝하여 규정된 트렌치 폭(W)의 복수의 트렌치들(20)을 가진 트렌치 구조물(18)을 형성하는 단계와, 트렌치 구조물(18)을 과도 충전하도록 기판(10) 상에 광활성 물질(22)을 퇴적하여 복수의 트렌치들(20) 내의 충전 부분 및 트렌치 구조물(18) 위의 과도 충전 부분을 형성하는 단계를 포함한다. 방법은 또한 광활성 물질을 규정된 트렌치 폭(W)보다 적어도 4배 큰 파장을 포함하는 전자기 방사(24)에 노출하여 과도 충전 구역이 노출에 의해 변형되도록 하는 반면 전자기 방사(24)가 복수의 트렌치들(20) 쪽으로 침투하지 못하도록 하여 충전 부분을 변형 없이 남게 하는 단계와, 광활성 물질(22)의 변형된 과도 충전 부분을 제거하여 선택적 반응성 이온 에칭, 선택적 퇴적, 또는 유도 자기 조립을 위한 화학 템플릿으로서 사용하기 위한 평탄화된 충전된 트렌치 구조물을 형성하는 단계를 포함한다. |
