一种恒流JFET器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种恒流JFET器件及其制造方法。本发明的恒流JFET器件，其特征在于所述P+表面栅极区5和P+背面栅极区2的结深为不均匀的，从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区7的一端P+表面栅极区5的结深逐渐增加，从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区7的一端P+背面栅极区2的结深也逐渐增加。本发明的有益效果为，恒流特性较好，能够满足更小恒流精度的需求。本发明尤其适用于恒流JFET器件及其制造。

主权项

一种恒流JFET器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步：选择单晶片，制备P型衬底(1)；第二步：采用光刻和离子注入工艺，将P型杂质注入P型衬底(1)上表面形成结深不均匀的P+埋层背面栅极区(2)，具体为采用多次光刻、多次不同注入能量的方式或者多次光刻、多次相同注入能量和多次推结的方式；第三步：在P型衬底(1)上表面生长N‑沟道外延层(3)；第四步：采用光刻和离子注入工艺，在N型外延层(3)的两端生成P型隔离区(4)；第五步：在N‑沟道外延层(3)上表面生长场氧化层，所述场氧化层的厚度为第六步：采用光刻工艺，在N型外延层(3)上表面进行有源区刻蚀，为后续有源区内的源漏栅区注入刻蚀出有源区；第七步：采用光刻和离子注入工艺，在N型外延层(3)上表面形成P+表面栅极区(5)，所述P+表面栅极区(5)的结深为不均匀的，具体为采用多次光刻、多次不同注入能量的方式或者采用多次光刻、多次相同能量注入和多次推结的方式；第八步：采用光刻和离子注入工艺，在N型外延层(3)上表面形成N+漏极区(6)和N+源极区(7)注入，其中P+表面栅极区(5)位于N+漏极区(6)和N+源极区(7)之间；第九步：采用光刻工艺刻蚀出接触孔；第十步：在P+表面栅极区(5)的上端面淀积栅极金属(10)，在N+漏极区(6)的上端面淀积漏极金属(9)，在N+源极区(7)的上端面淀积源极金属(11)。