连续一列式阴影掩膜沉积过程中用多次沉积事件形成导通孔的系统和方法

摘要

在连续一列式阴影掩膜生产系统中通过沉积第一导电层随后在第一导电层的一部分之上沉积第一绝缘层来形成导通孔。第一绝缘层是以沿其边缘定义至少一个凹口的方式沉积的。然后第二绝缘层以该第二绝缘层与第一绝缘层的每个凹口稍微重叠来形成一个或者多个导通孔的方式被沉积在第一导电层的另一部分上，从而形成一个或多个导通孔。导电填充物可以有选择性地沉积在每个导通孔中。最后，第二导电层可以被沉积在第一绝缘层、第二绝缘层、以及导电填充物(如果提供)上。

主权项

1.一种阴影掩膜气相沉积方法，其包含步骤：(a)在基片上气相沉积第一导电层；(b)在所述第一导电层上分别气相沉积一对绝缘层，其中这对被沉积的绝缘层中的一个沿其边缘定义一个槽并且该槽和这对被沉积的绝缘层中另一个的边缘的组合定义一个导通孔；以及(c)在所述第一和第二绝缘层上气相沉积第二导电层，其中所述第一和第二导电层通过所述导通孔中的导电体进行电连接。