| 发明名称 | 蚀刻底层抗反射层的方法 | ||
| 摘要 | 一种蚀刻底层抗反射层的方法，包括下列步骤，执行第一蚀刻步骤来蚀刻底层抗反射层；判断第一蚀刻步骤的蚀刻时间是否达到设定的时间；若第一蚀刻步骤的蚀刻时间达到设定的时间，则执行第二蚀刻步骤直到达到设定的蚀刻停止深度，其中第二蚀刻步骤对底层抗反射层的蚀刻速率慢于第一蚀刻步骤对底层抗反射层的蚀刻速率。所述蚀刻底层抗反射层的方法能够改善现有技术过蚀刻的问题，从而避免对后续工艺造成严重影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101459073A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710094493.X | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣;沈满华 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1. 一种蚀刻底层抗反射层的方法，其特征在于，包括下列步骤，执行第一蚀刻步骤来蚀刻底层抗反射层；判断第一蚀刻步骤的蚀刻时间是否达到设定的时间；若第一蚀刻步骤的蚀刻时间达到设定的时间，则执行第二蚀刻步骤直到达到设定的蚀刻停止深度，其中第二蚀刻步骤对底层抗反射层的蚀刻速率慢于第一蚀刻步骤对底层抗反射层的蚀刻速率。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||