| 发明名称 |
Anordnung zur Kurzschluss-Vermeidung in einem Doppel-Polysilizium-Bipolartransistor und ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10297639(T5) |
申请公布日期 |
2005.02.24 |
| 申请号 |
DE20021097639T |
申请日期 |
2002.12.02 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
JOHANSSON, TED;NORSTROEM, NANS;LINDGREN, ANDRERS |
| 分类号 |
H01L21/314;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/314;H01L21/822;H01L29/70 |
主分类号 |
H01L21/314 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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