| 发明名称 | 用于LED芯片上的复合结构层及LED芯片 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种用于LED芯片上的复合结构层及LED芯片。本实用新型提供的用于LED芯片上的复合结构层，包括：位于芯片P型结构层表面的电流扩散层，以及生长于电流扩散层上的电流阻挡层，电流阻挡层位于P型结构层上的P型电极的正下方。本实用新型提供的用于LED芯片上的复合结构层，能够使P型电极端的电流扩散到P型电极正下方的P型结构层上，使整个P型结构层上均有电流通过，增加了电流的有效注入区域，提高了电流注入到有源层的均匀性，提高了芯片的出光效率及芯片的亮度。 | ||
| 申请公布号 | CN205595361U | 申请公布日期 | 2016.09.21 |
| 申请号 | CN201620128083.7 | 申请日期 | 2016.02.18 |
| 申请人 | 圆融光电科技股份有限公司 | 发明人 | 焦建军;周德保;康建;梁旭东 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 马爽;黄健 |
| 主权项 | 一种用于LED芯片上的复合结构层，其特征在于，包括：位于芯片P型结构层表面的电流扩散层，以及生长于所述电流扩散层上的电流阻挡层，所述电流阻挡层位于所述P型结构层上的P型电极的正下方。 | ||
| 地址 | 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋 | ||