| 发明名称 | 一种GaN‑MoS<sub>2</sub>分波段探测器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明适用于半导体器件领域，提供了GaN‑MoS<sub>2</sub>分波段探测器，包括：GaN衬底；附在所述衬底一面上的GaN材料层；附在所述衬底的与所述GaN材料层相对的另一面上的MoS<sub>2</sub>材料层；置于所述GaN材料层和所述MoS<sub>2</sub>材料层上的电极组。本发明提供的GaN‑MoS<sub>2</sub>分波段探测器为单片集成结构，包括分别置于衬底两面的GaN材料层和MoS<sub>2</sub>材料层，所述探测器结构合理地将宽禁带GaN和窄禁带的二维材料MoS<sub>2</sub>结合在一起，最终实现了光子的分波段吸收探测。本发明还提供了所述GaN‑MoS<sub>2</sub>分波段探测器的制备方法，包括以下步骤：制备GaN材料层；制备MoS<sub>2</sub>材料层；加工电极组。本发明所提供的制备方法，过程简单易行，便于工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN106129166A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610489139.6 | 申请日期 | 2016.06.28 |
| 申请人 | 深圳大学 | 发明人 | 刘新科;李奎龙;何佳铸;陈乐;何祝兵;俞文杰;吕有明;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;亮;洪家伟 |
| 分类号 | H01L31/09(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/09(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人 | 王利彬 |
| 主权项 | 一种GaN‑MoS<sub>2</sub>分波段探测器，其特征在于，包括：GaN衬底；附在所述衬底一面上的GaN材料层；附在所述衬底的与所述GaN材料层相对的另一面上的MoS<sub>2</sub>材料层；置于所述GaN材料层和所述MoS<sub>2</sub>材料层上的电极组。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区南海大道3688号 | ||