| 发明名称 |
p-Hg3In2Te6 BASED PHOTODIODE |
| 摘要 |
A photodiode based on p-Hg3In2Te6 comprises an optical radiation absorber, a frontal layer applied to the absorber and ohmic contacts thereto. The absorber is made as a polished monocrystalline substrate p-Hg3In2Te6, the frontal layer is made from n-TiN film. |
| 申请公布号 |
UA92085(U) |
申请公布日期 |
2014.07.25 |
| 申请号 |
UA20140002684U |
申请日期 |
2014.03.18 |
| 申请人 |
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА |
发明人 |
Солован Михайло Миколайович;Майструк Едуард Васильович;Брус Віктор Васильович;Мар'янчук Павло Дмитрович;Кафанов Анатолій Михайлович |
| 分类号 |
|
主分类号 |
|
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
