发明名称 |
发光二极管及制造该发光二极管的方法 |
摘要 |
本发明公开发光二极管及制造该发光二极管的方法。该发光二极管包含:第一导电型半导体层;多个台面,在所述第一导电型半导体层上相隔而布置,且分别包含活性层及第二导电型半导体层;反射电极,位于各个所述多个台面上,且欧姆连接于第二导电型半导体层;电流分散层,覆盖所述多个台面及所述第一导电型半导体层,且与所述台面电绝缘,且在各个所述台面的上部区域内包含暴露所述反射电极的第一开口部,并欧姆接触于所述第一导电型半导体层。据此,可提供改善了电流分散性能的发光二极管。 |
申请公布号 |
CN106129195A |
申请公布日期 |
2016.11.16 |
申请号 |
CN201610701610.3 |
申请日期 |
2012.09.14 |
申请人 |
首尔伟傲世有限公司 |
发明人 |
蔡钟炫;张钟敏;卢元英;徐大雄;赵大成;李俊燮;李圭浩;印致贤 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/08(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
孙昌浩;李盛泉 |
主权项 |
一种发光二极管,包含:第一导电型半导体层;多个台面,在所述第一导电型半导体层上相隔而布置,且分别包含活性层及第二导电型半导体层;反射电极,位于所述多个台面之每一个上,欧姆接触于第二导电型半导体层;电流分散层,覆盖所述多个台面及所述第一导电型半导体层,且与所述台面电绝缘,且在各个所述台面的上部区域内包含暴露所述反射电极的第一开口部,并欧姆接触于所述第一导电型半导体层,上部绝缘层,覆盖所述电流分散层的至少一部分,且在各个所述台面的上部区域内具有暴露所述反射电极的第二开口部;下部绝缘层,该下部绝缘层位于所述多个台面与所述电流分散层之间,以使所述电流分散层与所述多个台面及所述反射电极电绝缘,其中,所述下部绝缘层具有暴露所述第一导电型半导体层的第三开口部,所述第三开口部具有沿着所述台面延伸的方向伸长的形状,所述第一开口部被布置在相邻的两个所述第三开口部之间。 |
地址 |
韩国京畿道安山市 |