一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法

摘要

本发明涉及电子学器件技术领域，利用InGaAs作为缓冲层来增加半金属铁磁体闪锌矿结构锑化铬(zb-CrSb)厚度的分子束外延生长方法。包括分子束外延生长系统、源炉温度控制系统、五种元素固体源(包括Ga、As、In、Cr、Sb)、GaAs衬底、反射式高能电子衍射枪、超导量子干涉仪(SQUID)。利用分子束外延系统生长制备zb-CrSb样品。通过SQUID测量zb-CrSb的基本磁性质。从极低温下zb-CrSb的磁滞回线得到饱和磁矩，并由此来计算zb-CrSb的厚度。

主权项

1.一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法，其特征在于，该方法包括分子束外延生长系统、源炉温度控制系统、元素固体源、GaAs衬底、反射式高能电子衍射枪、超导量子干涉仪，采用分子束外延技术在GaAs衬底上生长InGaAs缓冲层，利用低温分子束外延技术在InGaAs缓冲层生长闪锌矿结构锑化铬zb-CrSb样品，采用RHEED监控zb-CrSb的生长，通过SQUID测量zb-CrSb的基本磁性质，从极低温下zb-CrSb的磁滞回线得到饱和磁矩，并由此来计算zb-CrSb的厚度。