发明名称 |
Hydrothermal method for producing ZnO nanopillars |
摘要 |
Przedmiotem wynalazku jest hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu, zawierającym warstwę zarodkującą wzrost. W sposobie tym, warstwą zarodkującą wzrost jest warstwa ZnO, którą osadza się na podłożu w co najmniej jednym cyklu metodą osadzania warstw atomowych (ALD). Następnie podłoże z taką warstwą umieszcza w mieszaninie reakcyjnej o pH od 6,5 do 12, zawierającej co najmniej jeden prekursor tlenu, i co najmniej jeden prekursor cynku, temperaturę mieszaniny podnosi się powyżej 25°C, i przez co najmniej 1 sekundę prowadzi się wzrost nanosłupków ZnO. |
申请公布号 |
PL402753(A1) |
申请公布日期 |
2014.08.18 |
申请号 |
PL20130402753 |
申请日期 |
2013.02.13 |
申请人 |
INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK |
发明人 |
WITKOWSKI BART&Lstrok,OMIEJ;WACHNICKI &Lstrok,UKASZ;GODLEWSKI MAREK;GIERA&Lstrok,TOWSKA SYLWIA |
分类号 |
C01G9/02;B82B1/00;B82B3/00 |
主分类号 |
C01G9/02 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|