发明名称 Hydrothermal method for producing ZnO nanopillars
摘要 Przedmiotem wynalazku jest hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu, zawierającym warstwę zarodkującą wzrost. W sposobie tym, warstwą zarodkującą wzrost jest warstwa ZnO, którą osadza się na podłożu w co najmniej jednym cyklu metodą osadzania warstw atomowych (ALD). Następnie podłoże z taką warstwą umieszcza w mieszaninie reakcyjnej o pH od 6,5 do 12, zawierającej co najmniej jeden prekursor tlenu, i co najmniej jeden prekursor cynku, temperaturę mieszaniny podnosi się powyżej 25°C, i przez co najmniej 1 sekundę prowadzi się wzrost nanosłupków ZnO.
申请公布号 PL402753(A1) 申请公布日期 2014.08.18
申请号 PL20130402753 申请日期 2013.02.13
申请人 INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK 发明人 WITKOWSKI BART&Lstrok,OMIEJ;WACHNICKI &Lstrok,UKASZ;GODLEWSKI MAREK;GIERA&Lstrok,TOWSKA SYLWIA
分类号 C01G9/02;B82B1/00;B82B3/00 主分类号 C01G9/02
代理机构 代理人
主权项
地址