| 发明名称 | 光电转换器件、光电转换器件制造方法、及图像拾取系统 | ||
| 摘要 | 一种光电转换器件，包括：光电转换区域，其具有多个光电转换元件和配置为响应每个光电转换元件的电荷而读取信号的第一MOS晶体管；以及外围电路区域，其具有配置为驱动所述第一MOS晶体管和/或放大从所述光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，并且所述光电转换区域和所述外围电路区域位于同一半导体衬底上，其中所述第一MOS晶体管的漏极中的杂质浓度低于所述第二MOS晶体管的漏极中的杂质浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN101118919A | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN200710143752.3 | 申请日期 | 2007.08.02 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 渡边高典;板野哲也;高桥秀和;滝本俊介;虻川浩太郎;成濑裕章;西村茂;板桥政次 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H04N5/335(2006.01);H04N5/225(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种光电转换器件，包括：光电转换区域，其具有多个光电转换元件和配置为响应每个光电转换元件的电荷而读取信号的第一MOS晶体管；以及外围电路区域，其具有配置为驱动所述第一MOS晶体管和/或放大从所述光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，所述光电转换区域和所述外围电路区域位于同一半导体衬底上，其中所述第一MOS晶体管的漏极中的杂质浓度低于所述第二MOS晶体管的漏极中的杂质浓度。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||