| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底的一个表面上形成吸收光的层；在吸收光的层上提供第二衬底；与第一衬底的另一个表面相对地提供掩模；以及通过经由掩模对吸收光的层照射激光束，将吸收光的层的一部分转印到第二衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN101118849A | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN200710138353.8 | 申请日期 | 2007.07.27 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 宫入秀和;小路博信;下村明久;比嘉荣二;森若智昭;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/203(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/3205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底的一个表面上形成吸收光的层；在所述层上提供第二衬底；与所述第一衬底的另一个表面相对地提供掩模；以及通过经由所述掩模对所述层照射激光束，将所述层的一部分转印到所述第二衬底。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||