| 发明名称 | 单晶氧化镁及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种单晶MgO，其用于得到氧化镁(MgO)单晶蒸镀材料，该蒸镀材料在通过电子束蒸镀法等蒸镀时，可防止发生飞溅而不降低蒸镀时的成膜速度；以及提供一种单晶MgO，其用于得到单晶MgO基板，该基板可形成例如超导特性优异的超导体薄膜。该单晶MgO的钙含量为150×10<SUP>－6</SUP>～1000×10<SUP>－6</SUP>kg/kg、硅含量为10×10<SUP>－6</SUP>kg/kg以下，并且通过TOF－SIMS对单晶MgO的研磨面进行分析时的钙碎片离子检测量的变化以CV值计为30％以下。还提供一种由该单晶MgO得到的单晶MgO蒸镀材料和薄膜形成用单晶MgO基板。 | ||
| 申请公布号 | CN101146936A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200680009667.1 | 申请日期 | 2006.03.24 |
| 申请人 | 达泰豪化学工业株式会社 | 发明人 | 东淳生;川口祥史;国重正明 |
| 分类号 | C30B29/16(2006.01);C01F5/02(2006.01);C23C14/08(2006.01) | 主分类号 | C30B29/16(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 1.一种单晶氧化镁，其特征在于，该单晶MgO的钙含量为150×10-6～1000×10-6kg/kg、硅含量为10×10-6kg/kg以下，其中，通过TOF-SIMS对所述单晶MgO的研磨面进行分析时的钙碎片离子检测量的变化以CV值计为30％以下。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||