| 主权项 |
1.一种自行对准位线接触窗与节点接触窗制造方法，包括下列步骤：提供一基底，该基底上已形成有一周边MOS有源区与一存储单元MOS，其中该周边MOS有源区上已形成有第一栅极与该第一栅极上方的一第一帽盖层，且该存储单元MOS包含一第二栅极、位于该第二栅极上方的一第二帽盖层，及位于该第二栅极两侧的该基底中的一存储单元源极/漏极区；于该基底上形成共形的一绝缘层，该绝缘层、该第一帽盖层与该第二帽盖层的材质都相同；于该存储单元MOS上覆盖一光致抗蚀剂层；以该光致抗蚀剂层为掩模，各向异性地蚀刻该周边MOS有源区上方的该绝缘层，以于该第一栅极与该第一帽盖层的侧壁形成一第一间隙壁；以该光致抗蚀剂层、该第一帽盖层与该第一间隙壁为掩模进行离子注入步骤，以于该第一间隙壁两侧的该基底中形成一周边源极/漏极区，而完成一周边MOS；去除该光致抗蚀剂层；于该基底上沉积一介电层；在该第二栅极两侧的该介电层中形成一自行对准位线接触窗开口与一自行对准节点接触窗开口，而暴露出部分的该绝缘层，同时在该第一栅极上方的该介电层中形成一周边栅极接触窗开口，而暴露出该第一帽盖层；以及各向异性地蚀刻该自行对准位线接触窗开口与该自行对准节点接触窗开口中的该绝缘层，以在该第二栅极与该第二帽盖层的侧壁形成一第二间隙壁，同时蚀穿暴露于该周边栅极接触窗开口中的该第一帽盖层，而暴露出该第一栅极。 |
