| 发明名称 | 一种高饱和磁通密度MnZn铁氧体的烧结方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种高饱和磁通密度MnZn铁氧体的烧结方法；该方法由以下步骤构成：a.第一个升温阶段：b.第二个升温阶段，c.保温阶段，d.降温阶段构成；本发明的烧结方法由于在升温、保温和降温的整个烧结过程中通过对温度和氧分压的控制，能够大大提高MnZn铁氧体的饱和磁通密度；应用本发明的烧结方法制备高饱和磁通密度MnZn铁氧体无需添加昂贵的辅助成分，而且烧结工艺简单，大大降低了MnZn铁氧体的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN100466114C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200610051942.8 | 申请日期 | 2006.06.14 |
| 申请人 | 横店集团东磁有限公司 | 发明人 | 颜冲;吕东华;包大新;何时金 |
| 分类号 | H01F1/10(2006.01);H01F1/34(2006.01) | 主分类号 | H01F1/10(2006.01) |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 尉伟敏 |
| 主权项 | 1、一种高饱和磁通密度MnZn铁氧体的烧结方法，该方法由以下步骤构成：a、第一个升温阶段：该阶段在1小时到6小时的时间内将温度从室温升高到600℃～800℃，升温阶段在大气气氛中进行；b、第二个升温阶段，该阶段在3小时到8小时的时间内将温度从600℃～800℃升高到1100～1450℃，升温阶段的氧分压维持在0.001～2％；c、保温阶段，该阶段将温度维持在1100～1450℃，保温时间为30分钟到10小时，氧分压维持在2～10％；d、降温阶段，该阶段在6小时到20小时的时间内将温度从1100～1450℃降到100℃，降温过程维持平衡氧分压。 | ||
| 地址 | 322118浙江省东阳县横店工业区东磁有限公司 | ||