| 发明名称 | 半导体器件的离子注入方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件的离子注入方法，硅片放入离子注入内机，把具有网孔的丝网制成与硅片相同形状的阻挡网，阻挡网贴附在硅片表面，离子注入机向硅片表面注入离子，阻挡网的网丝阻挡了离子向硅片表面的注入，离子只能经阻挡网的网孔注入到硅片表面，在硅片表面形成网格状分布。本发明不用光刻胶制作，没有污染，操作简单，提高了生产效率，与光刻法具有相同效果，保持了半导体器件的优质特性。本发明由于阻挡网可以重复使用，减少了材料浪费，大大降低了半导体器件制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101355027A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200810196098.7 | 申请日期 | 2008.09.16 |
| 申请人 | 江苏宏微科技有限公司 | 发明人 | 刘利峰;张景超;李栋良;赵善麒 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01) | 主分类号 | H01L21/266(2006.01) |
| 代理机构 | 常州市维益专利事务所 | 代理人 | 贾海芬 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件的离子注入方法，其特征在于：硅片放入离子注入内机，把具有网孔的丝网制成与硅片相同形状的阻挡网，阻挡网贴附在硅片表面，离子注入机向硅片表面注入离子，阻挡网的网丝阻挡了离子向硅片表面的注入，离子只能经阻挡网的网孔注入到硅片表面，在硅片表面形成网格状分布。 | ||
| 地址 | 213022江苏省常州市新北区华山中路18号 | ||