| 发明名称 | 一种硅片卸载工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种新的硅片卸载工艺，包括(1)静电卡盘表面电荷中和；(2)硅片表面残余电荷消除。其中步骤(1)气体流量为200-400sccm，腔室内的压强为60-90mT，上电极功率150-300W；步骤(2)气体流量为200-400sccm，腔室内的压强为60-90mT上电极功率80-150W。利用本发明的工艺，不仅能够缩短硅片卸载时间，提高产量，并且能够减小硅片表面粗糙度，满足先进栅刻蚀工艺的需要。 | ||
| 申请公布号 | CN100343952C | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200510126300.5 | 申请日期 | 2005.12.05 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 荣延栋 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01);C23F1/12(2006.01);C23F4/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 向华 |
| 主权项 | 1、一种硅片卸载工艺，包括以下步骤：(1)静电卡盘表面电荷中和；和(2)硅片表面残余电荷消除，其中步骤(1)中氩气气体流量为200-400sccm，腔室内的压强为60-90mT，上电极功率为150-300W。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||