光发电元件及其制造方法;PHOTOVOLTAIC GENERATION ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

本发明提供一种具有充分填充因数且可抑制制造成本之光发电元件、及其制造方法。前述光发电元件系具有n型结晶半导体基板、积层于n型结晶半导体基板一侧之p型非晶质系矽薄膜、及积层于n型结晶半导体基板另一侧之n型非晶质系矽薄膜；前述光发电元件并具有介于n型结晶半导体基板与p型非晶质系矽薄膜间之本质非晶质系矽薄膜，而n型结晶半导体基板与n型非晶质系矽薄膜系直接接合，且，n型非晶质系矽薄膜侧系作为光入射面使用。