发明名称 メモリタイルアクセスおよび選択パターン
摘要 一実施形態においては、メモリデバイスなどの装置が開示される。装置は、複数のメモリタイルおよび選択回路を含む。各メモリタイルは、複数のデジット線導体および複数のアクセス線導体の交点において記憶コンポーネントのアレイを有する。選択回路は、記憶コンポーネントに対応するデジット線導体および対応するアクセス線導体に基づいて、メモリタイルの記憶コンポーネントを選択するラインドライバを含む。選択回路は、異なるメモリタイルの記憶コンポーネントを選択する前に、連続的にメモリタイルの二つ以上の記憶コンポーネントを選択してもよい。【選択図】図5
申请公布号 JP2016528659(A) 申请公布日期 2016.09.15
申请号 JP20160519548 申请日期 2014.06.05
申请人 マイクロン テクノロジー, インク. 发明人 カストロ,ハーナン エー.;テドロウ,ケリー ディーン;ウー.ジャック チンホー
分类号 G11C13/00 主分类号 G11C13/00
代理机构 代理人
主权项
地址