| 发明名称 | 具有浮置栅的内存组件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有浮置栅的内存组件的制造方法，包括：提供一个基底，并对基底进行一沟道掺杂步骤，该沟道掺杂步骤包括一第一井区注入步骤、一第二井区注入步骤、一起始电压调整注入步骤，以使形成的内存组件的实际起始电压值大于未进行沟道掺杂步骤时形成的内存组件的起始电压值。接着，依序在基底上形成堆栈栅以及源/漏极区以完成内存组件的制作。通过实际起始电压值的提高，避免漏极开关漏电流的现象。 | ||
| 申请公布号 | CN1194402C | 申请公布日期 | 2005.03.23 |
| 申请号 | CN01129354.3 | 申请日期 | 2001.06.13 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 范左鸿;卢道政;蔡文哲;潘正圣 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/8239;H01L21/335 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种具有浮置栅的内存组件的制造方法，其特征在于：该方法包括下列步骤：提供一基底；对该基底进行一沟道掺杂步骤，该沟道掺杂步骤包括一第一井区注入步骤、一第二井区注入步骤、一起始电压调整注入步骤，以使形成的该具有浮置栅的内存组件的一实际起始电压值大于未进行沟道掺杂步骤时形成的该具有浮置栅的内存组件的一起始电压值；在该基底上形成一堆栈栅；在该基底中形成一源/漏极区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||