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Die Erfindung betrifft eine Membran (40) für einen mikroelektrochemischen Sensor (10), aufweisend eine erste Schicht (41), die zwischen einer zweiten Schicht (42) und einer dritten Schicht (43) angeordnet ist. Das Material der ersten Schicht (41) ist ausgewählt aus Zirkoniumoxid das mit bis zu 5 mol.-% mindestens eines Elektronenakzeptors dotiert ist, oder Bismuthoxid, Oxiden mit Pyrochlorstruktur, Oxiden mit Apatitstruktur, Oxiden mit Perowskitstruktur und Gemischen daraus, wobei das Material mit bis zu 20 mol.-% mindestens eines Elektronenakzeptors dotiert ist. Das Material der zweiten Schicht (42) und der dritten Schicht (43) ist ein Elektronenakzeptor-dotiertes Oxid mit einer Fluorit-Struktur. Der mikroelektrochemischen Sensor (10), weist eine erste Elektrode (21), ein Halbleitersubstrat (30), welches eine durchgehende Öffnung aufweist, und eine zweite Elektrode (22), welche auf dem Halbleitersubstrat (30) angeordnet ist und welche die durchgehende Öffnung schließt, auf. Die Membran (40) ist so in dem mikroelektrochemischen Sensor (10) angeordnet, dass ihre zweite Schicht (42) die erste Elektrode (21) kontaktiert und ihre dritte Schicht (43) das Halbleitersubstrat (30) und die zweite Elektrode (22) kontaktiert. Die Membran (41) kann durch Abscheiden der drei Schichten (41, 42, 43), insbesondere mittels Gasphasenabscheidung hergestellt werden. |
