垂直ＮＡＮＤデバイス用の多結晶トランジスタチャンネルのドーピング方法

摘要

垂直ＦＬＡＳＨデバイス内の多結晶チャンネルのドーピング方法を開示する。本方法は複数の高エネルギーイオン注入を使用して当該チャンネルをチャンネルの様々な深さでドープする。いくつかの実施態様では、注入イオンが周囲のＯＮＯ積層体の少なくとも一部を通過するように、法線方向から外れた角度でこれらのイオン注入が行われる。ＯＮＯ積層体を通過することで、各イオンが届く距離の分布は垂直注入の場合の分布と異なり得る。