用于接置半导体装置之层结构及其制法;LAYER STRUCTURE FOR CONTACTING SETTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

一种用于接置半导体装置之层结构及其制法，该制法包括：提供一具有导电层、复数第一导电元件、复数第二导电元件与第一胶体之基材，该导电层系具有相对之第一表面与第二表面，该些第一导电元件与该些第二导电元件系分别形成于该导电层之第一表面及第二表面上，该第一胶体系形成于该导电层之第一表面上以包覆该些第一导电元件；移除部分该导电层以形成线路层，俾使该些第一导电元件分别经由该线路层电性连接该些第二导电元件；以及形成第二胶体于该第一胶体之第一底面上以包覆该线路层及该些第二导电元件。藉此，本发明能降低该用于接置半导体装置之层结构之制作难度，并提升产品良率。; removing part of the conductive layer to form a wiring layer, so that enables the first conductive elements to electrically connect the second conductive elements via the wiring layer respectively; and forming a second colloid on a first bottom surface of the first colloid, to coat the wiring layer and the second conductive elements. Therefore, this invention can lower the manufacturing difficulty of the layer structure for contacting setting semiconductor device, and increase the product yield.