本文提供半导体制造中的表面介面工程方法。在某些实施例中，处理配置于制程腔室之制程容积中的基板支撑件上之基板的方法包括：自感应耦合电浆产生离子物种，感应耦合电浆自第一制程气体形成于制程腔室之制程容积中；暴露基板的第一层至离子物种以在第一层上形成氟化铵(NH4F)膜，其中第一层包括氧化矽；及加热基板至第二温度，在此温度下，氟化铵膜与第一层反应以选择性蚀刻氧化矽。; exposing a first layer of the substrate to the ion species to form an ammonium fluoride (NH4F) film atop the first layer, wherein the first layer comprises silicon oxide; and heating the substrate to a second temperature at which the ammonium fluoride film reacts with the first layer to selectively etch the silicon oxide.
