| 发明名称 | 非易失性存储器件和对其中的多级单元进行编程的方法 | ||
| 摘要 | 一种对非易失性存储器件中的多级单元进行编程的方法，包括：向多个主单元和多个指示器单元提供不同的数据。所述多个主单元和所述多个指示器单元根据所述数据具有不同的阈值电压。对主单元和指示器单元执行编程操作。基于主单元和指示器单元的第一验证电压，执行第一验证操作。重复执行编程操作和第一验证操作，直到所述多个指示器单元的第一单元的阈值电压高于第一验证电压。当第一单元的阈值电压高于第一验证电压时，基于第二验证电压对主单元执行第二验证操作。 | ||
| 申请公布号 | CN101388249A | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200810006387.6 | 申请日期 | 2008.02.29 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 元参规;车载元;白侊虎 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨林森;杨红梅 |
| 主权项 | 1. 一种对非易失性存储器件中的多级单元进行编程的方法，该方法包括：向包括主单元和指示器单元的多个单元中的每个单元提供不同的数据，其中，所述主单元和所述指示器单元具有根据所述数据的不同的阈值电压；对主单元和指示器单元执行编程操作；基于所述主单元和所述指示器单元的第一验证电压执行第一验证操作；重复执行所述编程操作和所述第一验证操作，直到所述指示器单元的第一单元的阈值电压高于所述第一验证电压；以及当所述第一单元的阈值电压高于所述第一验证电压时，基于第二验证电压，对所述主单元执行第二验证操作。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||