低介电常数的介电薄膜的形成方法

摘要

本发明提供一种低介电常数的介电薄膜的形成方法，包括形成一多孔低介电常数的介电薄膜于半导体基底上的方法。导入活性键结于多孔低介电常数的介电薄膜之中，以改善低介电常数的介电薄膜的损失电阻及化学完整性，进而在经过后续的工艺后，保持低介电常数的介电薄膜的低介电常数。进行活性键结的导入方式可以是通过导入氢氧及/或氢基团于多孔低介电常数的介电薄膜的孔隙内，在以硅为主的低介电常数的介电薄膜的一实施例中，可产生硅-氢氧(Si-OH)及/或硅-氢(Si-H)活性键结。在更进一步处理低介电常数的介电薄膜之后，从低介电常数的介电薄膜内移除活性键结。本发明所述的方法改善了损失电阻及介电常数稳定性。

主权项

1.一种低介电常数的介电薄膜的形成方法，其特征在于，该低介电常数的介电薄膜的形成方法，包括：形成一多孔低介电常数的介电薄膜于一基底上；以及通过一浸泡及洗涤工艺导入活性键结于该多孔低介电常数的介电薄膜之中，导入活性键结的步骤包括在该多孔低介电常数的介电薄膜的孔隙内导入至少一氢氧基团或一氢基团。