摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements angegeben mit den Schritten: A) Bereitstellen eines aktiven Elements (10) B) Aufbringen einer Verkapselungsanordnung (20) mit einer Mehrzahl von Verkapselungsschichten (21, 22, 2n) auf dem aktiven Element (10) mit den Teilschritten: B1) Aufbringen von zumindest einer Verkapselungsschicht (21) auf dem aktiven Element (10), B2) Durchführung eines Prüfungsverfahrens zur Ermittlung von zumindest einem undichten Bereich (29) in der zumindest einen bereits aufgebrachten Verkapselungsschicht (21), B3) Aufbringen von zumindest einer weiteren Verkapselungsschicht (22, 2n) auf der zumindest einen bereits aufgebrachten Verkapselungsschicht (21). |