| 发明名称 | 多晶硅栅极掺杂方法 | ||
| 摘要 | 本发明的多晶硅栅极掺杂方法，其特征是去除多晶硅硬掩模和多晶硅栅极掺杂集成的方法。在去除多晶硅硬掩模之前，在整个表面覆盖高流平性涂层，首先等离子刻蚀去除部分该涂层，再用等离子刻蚀或/和湿法刻蚀去除硬掩模，然后对多晶硅栅极自对准掺杂。 | ||
| 申请公布号 | CN1889236A | 申请公布日期 | 2007.01.03 |
| 申请号 | CN200510027415.9 | 申请日期 | 2005.06.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 朱蓓;宁先捷 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 楼仙英 |
| 主权项 | 1.一种多晶硅栅极的掺杂方法，包括：形成PMOS多晶硅栅极，作为栅极导电结构；形成间隔层；硅衬底凹陷刻蚀；选择性外延生长硅锗层；覆盖高流平性涂层；回蚀，去除部分涂层和硬掩模；形成光刻胶图案；多晶硅上进行离子注入以掺杂。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||