| 发明名称 | 半导体晶片的处理方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体晶片的处理方法，首先对半导体晶片进行第一工艺。接着，取得进行第一工艺后半导体晶片上的计量数据，此计量数据反应出单一半导体晶片内部各处的偏差状况。然后，根据计量数据对同一半导体晶片进行第二工艺，以补偿第一工艺中所产生的偏差。因此，可立即并有效修正同一晶片内所产生的工艺偏差。 | ||
| 申请公布号 | CN1889230A | 申请公布日期 | 2007.01.03 |
| 申请号 | CN200510082132.4 | 申请日期 | 2005.06.29 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 马宏;周梅生 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体晶片的处理方法，包括：对一半导体晶片进行一第一工艺；取得进行该第一工艺后该半导体晶片上的一计量数据，该计量数据反应出同一该半导体晶片内部各处的偏差状况；以及根据该计量数据对同一该半导体晶片进行一第二工艺，以补偿该第一工艺中所产生的偏差。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||