| 发明名称 | 锗基半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种方法和结构，其中可以获得诸如FET和MOS电容器的Ge基半导体器件。具体地，本发明提供一种形成包括位于含Ge材料(层或晶片)上和/或内的堆叠的半导体器件的方法，所述堆叠包括电介质层和导电材料，其中所述含Ge材料的表面富含非氧硫属元素。通过提供富含非氧硫属元素的界面，电介质生长期间和之后不期望的界面化合物的形成被抑制且界面陷阱密度被减小。 | ||
| 申请公布号 | CN1956147A | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200610142352.6 | 申请日期 | 2006.10.10 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 马丁·M·弗兰克;史蒂文·J·凯斯特;尚慧玲;约翰·A·奥特 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L29/94(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体结构的方法，包括：用至少一种含非氧硫属元素的材料处理含Ge材料的表面从而形成富含非氧硫属元素的表面；在所述富含非氧硫属元素的表面上形成电介质层，从而富含非氧硫属元素的界面位于所述含Ge材料与所述电介质层之间；以及在所述电介质层上形成导电材料。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||