发明名称 |
封装元件的工艺和封装的元件 |
摘要 |
本发明涉及晶片级封装工艺和用这种工艺封装的元件。本发明的一个目的是提供这种类型的工艺:保证高成品率,适用于光学和/和微机械元件并实现改善的从功能区热机械去耦。依照本发明的工艺,在将晶片装备切割成芯片之前,基片衬底被分成体区和连接区,体区在所有情况下延伸过功能区,连接区关于接触连接凹槽偏置。然后元件在体区或连接区被薄化直到其在体区和连接区中的厚度不同。 |
申请公布号 |
CN1890789A |
申请公布日期 |
2007.01.03 |
申请号 |
CN200480035873.0 |
申请日期 |
2004.11.15 |
申请人 |
肖特股份公司 |
发明人 |
约根·雷伯 |
分类号 |
H01L21/50(2006.01);H01L21/58(2006.01);H01L23/48(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/50(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
秦晨 |
主权项 |
1.用于封装元件的工艺,其中基片衬底在其功能侧面上有多个相互间隔的功能区,并且借助功能侧面,以在所有情况下功能区都被封装的方式,在晶片级上与覆盖衬底永久连接,其中基片衬底上的接触表面通过在基片衬底中形成接触连接凹槽而从基片衬底的背面裸露出来,该背面在功能侧面的对侧,其中基片衬底被分成体区和连接区,体区在每种情况下延伸过功能区并为功能区形成封装的部分,连接区相对于接触连接凹槽偏移,元件在体区或连接区被薄化直到它在体区和连接区中具有不同的厚度,以及其中至少由基片衬底和覆盖衬底形成的晶片组件沿功能区之间的预定切割线被切割成芯片。 |
地址 |
德国美因茨 |