斜孔刻蚀方法

摘要

本发明提供一种斜孔刻蚀方法，其用于在硅片表面上刻蚀斜孔，将整个刻蚀过程分为两个步骤，分别为：第一刻蚀步骤，采用碳氟类气体作为刻蚀气体，用于去除在所述硅片表面上形成的自然氧化层；第二刻蚀步骤，采用SF₆作为刻蚀气体、O₂作为保护气体、HBr和He作为辅助气体，通过设定O₂和SF₆的流量比、工艺压力、上电极功率、下电极功率和硅片温度，以用于刻蚀形成理想的“V”形孔。本发明提供的斜孔刻蚀方法，其不仅可以获得理想的“V”形孔，即：侧壁平直、且顶部无弯曲、无线宽损失，而且斜孔的深宽比较高。

主权项

一种斜孔刻蚀方法，用于在硅片表面上刻蚀斜孔，其特征在于，将整个刻蚀过程分为两个步骤，分别为：第一刻蚀步骤，采用碳氟类气体作为刻蚀气体，用于去除在所述硅片表面上形成的自然氧化层；第二刻蚀步骤，采用SF₆、O₂、HBr和He作为刻蚀气体，同时设定相应的工艺参数，以用于刻蚀形成理想的“V”形孔；所述工艺参数包括所述O₂和SF₆的流量比、工艺压力、上电极功率、下电极功率和硅片温度。