发明名称 |
用集成电路工艺设计低寄生电容差分驱动对称电感的方法 |
摘要 |
本发明属微电子技术领域,具体涉及一种用集成电路工艺片优化设计片上差分对称电感的方法。具体是采用多金属互连线将大电压差的相邻线圈分开,使得相邻线圈的电压差降低,使电感相仿线圈之间的随着电压差的降低而减小;采用外圈大电压差线圈之间大间距,内圈相对小间距的相邻线圈不等间距方法,降低寄生电容。这样,通过降低寄生电容,进而提高电容意味着高的电感品质因数和自激振荡频率,改进电感电路性能。 |
申请公布号 |
CN100367455C |
申请公布日期 |
2008.02.06 |
申请号 |
CN200410067598.2 |
申请日期 |
2004.10.28 |
申请人 |
复旦大学 |
发明人 |
菅洪彦;王俊宇;唐长文;何捷;闵昊 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01F41/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01) |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 |
代理人 |
陆飞;盛志范 |
主权项 |
1.一种用集成电路工艺设计低寄生电容差分驱动对称电感的方法,其特征在于采用集成电路工艺,通过降低电感相邻线圈之间的寄生电容,进而提高电感的品质因素和自激振荡频率;其中:所说的降低电感相邻线圈之间的寄生电容,采用下述方法之一种或二种:(1)采用顶层金属或者顶部的几层金属并联的形式构成电感的线圈,通过电感线圈的下面的互连线层次,将具有大的电压差的相邻线圈分开,使具有电压差小的线圈相邻,各个线圈的电流方向仍旧保持相同;(2)通过调整外圈到内圈相邻线圈之间的距离,该距离使得外圈的寄生电容和内圈的单位面积寄生电容基本相等。 |
地址 |
200433上海市邯郸路220号 |