发明名称 用集成电路工艺设计低寄生电容差分驱动对称电感的方法
摘要 本发明属微电子技术领域,具体涉及一种用集成电路工艺片优化设计片上差分对称电感的方法。具体是采用多金属互连线将大电压差的相邻线圈分开,使得相邻线圈的电压差降低,使电感相仿线圈之间的随着电压差的降低而减小;采用外圈大电压差线圈之间大间距,内圈相对小间距的相邻线圈不等间距方法,降低寄生电容。这样,通过降低寄生电容,进而提高电容意味着高的电感品质因数和自激振荡频率,改进电感电路性能。
申请公布号 CN100367455C 申请公布日期 2008.02.06
申请号 CN200410067598.2 申请日期 2004.10.28
申请人 复旦大学 发明人 菅洪彦;王俊宇;唐长文;何捷;闵昊
分类号 H01L21/02(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01F41/00(2006.01) 主分类号 H01L21/02(2006.01)
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 代理人 陆飞;盛志范
主权项 1.一种用集成电路工艺设计低寄生电容差分驱动对称电感的方法,其特征在于采用集成电路工艺,通过降低电感相邻线圈之间的寄生电容,进而提高电感的品质因素和自激振荡频率;其中:所说的降低电感相邻线圈之间的寄生电容,采用下述方法之一种或二种:(1)采用顶层金属或者顶部的几层金属并联的形式构成电感的线圈,通过电感线圈的下面的互连线层次,将具有大的电压差的相邻线圈分开,使具有电压差小的线圈相邻,各个线圈的电流方向仍旧保持相同;(2)通过调整外圈到内圈相邻线圈之间的距离,该距离使得外圈的寄生电容和内圈的单位面积寄生电容基本相等。
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