| 发明名称 | 具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结，该p-n异质结由p型半导体材料铽锰氧TbMnO<sub>3</sub>和n型导电材料掺铌钛酸锶Sr<sub>0.99</sub>Nb<sub>0.01</sub>TiO<sub>3</sub>构成。本发明的铽锰氧p-n异质结是采用脉冲激光沉积方法制备得到，经该方法制得的p-n异质结在150K以上的温度范围内均表现出优异的二极管正向整流特性，在125K以下的温度范围内均表现出优异的二极管反向整流特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101645464A | 申请公布日期 | 2010.02.10 |
| 申请号 | CN200910091646.4 | 申请日期 | 2009.08.31 |
| 申请人 | 北京航空航天大学 | 发明人 | 崔益民;王荣明 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I;H01L43/00(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京永创新实专利事务所 | 代理人 | 周长琪 |
| 主权项 | 1、一种具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结，其特征在于：该p-n异质结由p型半导体材料铽锰氧TbMnO3和n型导电材料掺铌钛酸锶Sr0.99Nb0.01TiO3构成。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区学院路37号 | ||