Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

摘要

Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: – Ausbilden von mehreren Halbleitermesas (1), die sich bis zu einer Oberseite (101) erstrecken, in einem Halbleitersubstrat (40), so dass benachbarte Halbleitermesas (1) entweder durch einen leeren Graben (50) oder durch einen Graben (50), der mit einer Opferschicht (2) gefüllt ist, die selektiv in Bezug auf die Halbleitermesas (1) ätzbar ist, voneinander beabstandet sind; – Ausbilden einer Stützstruktur (10) auf der Oberseite (101) und/oder an der Oberseite (101), die die Halbleitermesas (1) mechanisch verbindet; und – Bearbeiten des Halbleitersubstrats (40) von der Oberseite (101), während die Halbleitermesas (1) über die Stützstruktur (10) mechanisch verbunden sind.