| 发明名称 | 半导体制造方法及系统 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体制造方法及系统，该方法包括在第一设备上对第一基底进行加工，同时检测到第一制造参数的至少一个数值。接着，分析上述第一制造参数，以便产生至少一个第一预测参数值。其次，比对上述第一预测参数值与第一既定参数值，以便产生至少一个第一比对结果。接着，应用对应上述第一比对结果所产生的第一工艺条件，以在上述第一设备上对第二基底进行加工。本发明可提高晶粒的生产率与合格率。 | ||
| 申请公布号 | CN101145501A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200710105083.0 | 申请日期 | 2007.05.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余振华;许呈锵;萧义理;柯俊成 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/66(2006.01);H01L21/67(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体制造方法，包括：在第一设备上对第一基底进行加工，同时检测到第一制造参数的至少一个数值；分析所述第一制造参数，以便产生至少一个第一预测参数值；比对所述第一预测参数值与第一既定参数值，以便产生至少一个第一比对结果；以及应用对应所述第一比对结果所产生的第一工艺条件，以在所述第一设备上对第二基底进行加工。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||