一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法，包括：在待刻蚀材料叠层上旋涂光刻胶并光刻，得到侧壁垂直的胶台柱作为刻蚀掩膜，完成待刻蚀样品的准备；对待刻蚀样品进行常温刻蚀；对常温刻蚀后的待刻蚀样品进行高温原位过刻蚀，去除待刻蚀样品表面的聚合物。本发明利用常温刻蚀各向异性好且刻蚀参数便于控制，以及高温刻蚀能方便去除聚合物等残余物质的优点，得到无聚合物残留的垂直侧壁，且不增加额外的工艺过程并与传统的硅基半导体工艺兼容。

主权项

一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法，其特征在于，包括：步骤1：在待刻蚀材料叠层上旋涂光刻胶并光刻，得到侧壁垂直的胶台柱作为刻蚀掩膜，完成待刻蚀样品的准备；步骤2：对待刻蚀样品进行常温刻蚀；步骤3：对常温刻蚀后的待刻蚀样品进行高温原位过刻蚀，去除待刻蚀样品表面的聚合物；其中，所述步骤2包括：步骤21：采用含有CHF₃的混合工艺气体刻蚀反应腔中的胶掩膜及其下方的待刻蚀材料叠层；步骤22：暴露在刻蚀气体中的待刻蚀材料叠层中的各薄膜表面减薄的同时覆盖上聚合物；步骤23：如待刻蚀薄膜较厚，则每刻蚀300秒后停止刻蚀30秒，再重复步骤21至步骤23，直至待刻蚀薄膜厚度达到要求。